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一份介绍MOCVD设备的技术资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/2013/10/30 14:41:44
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
oled称为有机发光二极管，是基于有机半导体材料的发光二极管。oled由于具有全固态、主动发光、高对比、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作温度范围宽、易于实现柔性和大面积、
https://www.alighting.cn/resource/20130929/125280.htm2013/9/29 10:00:57
对“用于gan的生产型MOCVD”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型ganMOCVD设备控制系统的特点;分析了MOCVD设备控制技术的发展趋势。
https://www.alighting.cn/resource/20130814/125402.htm2013/8/14 11:46:44
一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯MOCVD外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
本文主要介绍led芯片及器件的分选测试，led的分选有两种方法：一是以芯片为基础的测试分选，二是对封装好的led进行测试分选。
https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长gan时,gan低温缓冲层的生长压力对高温生长gan外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了MOCVD生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
