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本文采用MOCVD法在c-al2o3 衬底上生长本征zno和cu掺杂zno薄膜，利用cu(tmhd)为cucu?掺杂源，通过控制cu源温度(tcu)来控制cu掺杂条件，并利用x射
https://www.alighting.cn/2014/12/17 11:43:13
本文提出利用hrxrd 倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态，这对algan 材料的MOCVD 外延生长具有重要的指导意义。
https://www.alighting.cn/2014/12/3 11:50:29
采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性gan薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
从材料体系、结构设计和降低串电阻方法等方面系统阐述了分布布拉格反射器(dbr) 在发光二极管(led)器件中的发展情况，并对分布dbr 的发展提出了几点研究意见。
https://www.alighting.cn/2014/7/9 15:01:20
高亮度 led 制造如今是否应该更加重视工艺控制？如果答案是肯定的，那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验？
https://www.alighting.cn/2014/3/13 11:33:06
半导体照明光源的质量和led芯片的质量息息相关。进一步提高led的光效(尤其是大功率工作下的光效)、可靠性、寿命是led材料和芯片技术发展的目标。
https://www.alighting.cn/2014/3/12 18:03:00
2013-2016年，信心恢复，景气向上，产业有望恢复高速增长。随着led照明需求快速增长及去产能化过程，行业更加健康，市场集中度逐渐提升，价格相对稳定（技术提升下降），行业逐渐恢
https://www.alighting.cn/resource/20140214/124858.htm2014/2/14 14:53:22
通过世界专利索引数据库(dwpi)对MOCVD设备专利进行全面检索，然后进行人工标引，剔除不相关专利，经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选，对aixtron的喷淋头结构技
https://www.alighting.cn/2014/1/8 10:30:41
可确保样品不会在量测的过程中改变原本的特性，配合mapping技术或将讯号接收器改为ccd，可得到样品空间分布的特性，得知制程的均匀性以回馈MOCVD的制程，于量测时不需电极可监
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/10/163051_21.htm2013/12/10 16:30:51
国产化之天时–产业发展、技术创新、社会进步：1、良好的产业大环境：产业稳健发展、设备和技术保持稳定增长的需求态势；2、社会总体技术水平进步以及国产自身品质过硬：基础技术整体发展、核
https://www.alighting.cn/resource/20131127/125076.htm2013/11/27 10:32:54
