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氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
在传统的二步MOCVD外延生长的基础上 ,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,x
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
属氧化物化学气相沉积(MOCVD)技术在图形蓝宝石衬底(pss)上生长2μm厚的n型gan层,4层量子阱和200nm厚的p型gan层,形成led结构
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
由于整个竖式led结构采用MOCVD技术生长,这种技术不仅仅决定led的质量和性能,而且在很大程度上决定led制造的产量和成本。因此,MOCVD生产率的优化和营运成本的减
https://www.alighting.cn/resource/20110801/127363.htm2011/8/1 9:44:07
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况，读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22
台湾虽已成世界led生产的重镇，但其主要发光专利仍掌握在日(如nichia)、美(如cree)、欧(如osrams)等大公司的手中。更有甚者，MOCVD生长的led磊晶(如氮化
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
