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由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45EV(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
动时，达到正白130lm/w及暖白110lm/w，也使其芯片更适用于需要特殊光学设计的led路灯，隧道灯及led室内商用照明。EV 系列的外延工艺除了提升亮度，也降低了生长外沿时
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/1/19/308071.html2013/1/19 8:53:31
旭明光电最近发布了外延片质量和芯片工艺同时提升的EV系列led芯片。这些提升动作使得蓝光芯片亮度提升10%并且大批量生产时降低了8%的前向电压，为客户提供冷白光130lm/w和暖
https://www.alighting.cn/pingce/20130111/121977.htm2013/1/11 9:43:31
起了重视，开展了学术研究，提出了一些控制指标，如澳大利亚学者提了对控制光干扰（光污染）的光度参数最大值，包括垂直面照度（EV）、灯具发射强度（i）、限增量（ti）等；又如英国在限
http://blog.alighting.cn/1090/archive/2012/12/23/305202.html2012/12/23 8:37:38
知名大功率led厂商旭明光电semileds 2012年七月推出一款新系列 c35 led光源，该产品使用旭明EV led (enhanced vertical (EVtm))芯
https://www.alighting.cn/pingce/20120727/122353.htm2012/7/27 10:02:54
平。因此照明要求比较复杂。2 照明设计标准根据国际照明委员会（cie）、国际体育联合会、欧洲广播联合会的有关标准，确定以下照明指标。表1 体 操 eh（ix）EV（main）EV（se
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282464.html2012/7/19 10:27:12
近pn结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度eg有关，即λ≈1240/eg（mm）式中eg的单位为电子伏特（EV）。若能产生可见光（波
http://blog.alighting.cn/135603/archive/2012/7/17/282167.html2012/7/17 11:31:23
该EV led的设计是为了获得更高的耐热性，以保障在更高的温度条件下可靠性更好。该EV led的特色是采用了旭明光电专利的金属合金衬底上生长的垂直芯片架构芯片，具有优异的光学输
https://www.alighting.cn/pingce/20120705/122237.htm2012/7/5 11:37:54
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279116.html2012/6/20 9:51:14
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV、hEV车及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的arkansas power electronics internationa
https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122662.htm2011/11/18 17:01:17
