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谱证实了该zno薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354EV与中性受主束缚激子相关的发射峰
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62EV,
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0EV).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
美国thermal technology公司正积极开工扩建其蓝宝石晶体炉的生产厂房，计划厂房面积将扩大为原来的三倍;另一方面，奥地利EV集团(EVg)的晶圆键合和光刻设备生产厂
https://www.alighting.cn/news/20110804/90143.htm2011/8/4 11:05:43
EV集团(EVg)成立于1980年，位于奥地利圣弗洛里安，是微电机系统(mems)、纳米技术和半导体市场的晶片键合和光刻设备知名供应商。通过与全球客户的密切合作，凭借其灵活的生
https://www.alighting.cn/news/20110802/115375.htm2011/8/2 9:57:36
定方向的发光面的面积之比。（表示发光面的明亮程度） 照度EV（勒克斯，lx=lm·m-2）：光源照到某一物体表面上的光通量与该表面面积的比值。（表征受照面被照明的程度） 光源效
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/26/230862.html2011/7/26 14:36:00
d，发现距导带1.1EV处的深能级陷阱密度从2.7×1013cm－3上升到4.2×1013cm－3，异质界面陷阱在器件光电特性退化中起着重要的作用。g.meneghesso等人用深能
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
系,可以有不同的偏振方向,并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播,这个过程称为自发发射.其发射波长可用下式来表示:λ(μm)=1.2396/eg(EV) 发光二极管(led)一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230125.html2011/7/18 23:58:00
1～1020/cm3范围。2.4gan的光学特性人们关注的gan的特性,旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。maruska和tietjen首先精确地测量了gan直接隙能量为3.39e
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7EV左右,而不是先前普遍接受的1.9EV,所以通过调节合金组分可以获得从0
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
