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inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7EV左右,而不是先前普遍接受的1.9EV,所以通过调节合金组分可以获得从0
https://www.alighting.cn/resource/20110612/127509.htm2011/6/12 22:37:13
光)是一si制单位。发光强度是一光源所发出的可见光之光通量的大小。亮度(luminance)lv坎德拉每平方米cd/m2单位有时被称作"nits"。照度(illuminance)EV勒克
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2011/4/22/166613.html2011/4/22 9:28:00
t5721, mbt5722, mbt9110 丹佛斯电磁阀: EV210a,EV220a,EV240a,EV260a,EV213a,EV310a,EV210b,EV212
http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/4/1/146045.html2011/4/1 13:34:00
属作阴极的 oled器件的el响应更快[3]。目前,在oled器件中获得应用的单层金属阴极有mg(3.7 EV),li (2.9 EV),ca(2.9 EV),sr(2.4 e
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
而解释了器件的光衰减。 w.y.ho等人[16]通过研究直流大电流条件下退化的异质结led,发现距导带1.1EV处的深能级陷阱密度从2.7×1013cm-3上升到4.2×101
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
流条件下退化的异质结led,发现距导带1.1EV处的深能级陷阱密度从2.7×1013cm-3上升到4.2×1013cm-3,异质界面陷阱在器件光电特性退化中起着重要的作
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
: ag(10: 1),li:al (0.6%li) 合金电极,功函数分别为3.7EV和3.2EV。优点:提高器件量子效率和稳定性;能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。 c.层状阴极
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
纳米光触媒vk-nt30在建材领域的应用 产品主要成分:纳米二氧化钛、纳米银等金属氧化物 tio2属于一种n型半导体材料,它的禁带宽度为3.2EV (锐钛矿),当它受到波
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120322.html2010/12/13 10:38:00
v300-415-h3 15 sv300-220-h3 sv300-420-h3EV3系列输出功率范围 0.2kw~2.2kw可导轨(din rail)安装(选购)标准规格:(e
http://blog.alighting.cn/lili8888/archive/2010/10/6/102082.html2010/10/6 10:08:00
修。(专做批发,品质保证,价格优惠)本公司专门销售台湾东元变频器: 7300EV 7200cx 7200ma 7200gs 7300pa新款7300EV 迷你矢量型110v级,1φ
http://blog.alighting.cn/lili8888/archive/2010/10/6/102074.html2010/10/6 10:07:00