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led专利出路应从申请转移至实施和许可授权

d全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始,并且在以蓝宝石和sic衬底上生长GaN基led外延、芯片方面的专利布局已基本完成,所以说总体形势是不容乐

  https://www.alighting.cn/news/20121205/88527.htm2012/12/5 14:57:05

硅衬底led照明暂未发现物理瓶颈

当然GaN与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题,很容易出现龟裂现象,要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为,硅衬

  https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23

2011年mocvd设备相关数据变化及预测

ims research 6月发布的上一季度报告中,由于今年上半年供应过剩增加,lcd和led面板增长缓慢以及照明市场成本没有竞争力使得2011年上半年asp降低,GaN le

  https://www.alighting.cn/news/20110816/90334.htm2011/8/16 10:35:28

美科学家研制新的氮化镓—锑合金,让光电催化水解制氢更快捷

科学家们在美国能源部的资助下,借用最先进的理论计算证明,在氮化镓(GaN)化合物中,2%的氮化镓由锑(sb)替代,这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳

  https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07

各国及地区半导体照明计划发展综述

由于半导体照明产业潜藏着巨大的经济和社会效益,许多国家和地区纷纷制定了发展计划,例如美国“国家半导体照明研究计划”、日本“21世纪光计划”、韩国“GaN半导体开发计划”、欧盟“彩

  https://www.alighting.cn/news/20070803/101061.htm2007/8/3 0:00:00

俄罗斯出台照明计划建led芯片生产体系

件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。终端产品是led芯片、led灯和照明系统,其亮度堪比当今最好的灯具。le

  https://www.alighting.cn/news/20081224/101146.htm2008/12/24 0:00:00

欧司朗研发出新型led结构「ux:3」

德国欧司朗光电半导体(osram opto semiconductors gmbh)开发出了新型led结构「ux:3」。该结构不仅能够大幅提高蓝色led等GaN类led的外部量

  https://www.alighting.cn/news/20101014/105146.htm2010/10/14 0:00:00

法国最新白光led产品wled亮相

n damilano及其研究团队利用氮化銦鎵(gainn)/氮化鎵(GaN)制量子阱来产生蓝光及黄光,进而制作出wled。这项成果使wled的商业化有向前推进一步,未来有希望取代目前使

  https://www.alighting.cn/news/20081223/105943.htm2008/12/23 0:00:00

村修二教授宣布作为首尔半导体技术顾问

中村修二教授1993年在日本日亚化工(株)就职期间,开发了被认为是20世纪不可能实现的高亮度蓝色led,世界上最早以GaN base成功实现了量产和开发,被称为led行业的爱迪

  https://www.alighting.cn/news/20100324/108216.htm2010/3/24 0:00:00

璨圆光电再向爱思强订购若干mocvd 系统

寸的晶圆配置g5 ht 反应器,该系统将用于制造超高亮度 (ultra-highbrightness) GaN 蓝色及白色发光二极管(led)产

  https://www.alighting.cn/news/20120504/113689.htm2012/5/4 9:25:15

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