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而激光剥离装置“ux4-leds llo150”用于从蓝宝石(al2o3)基板上剥离氮化镓(GaN)膜，实现蓝宝石基板的重复利用
https://www.alighting.cn/news/20110722/115088.htm2011/7/22 10:33:30
公告称，项目投产后，可形成年产高亮度GaN蓝光外延片72万片、背光芯片46亿颗、照明芯片3.9亿颗的生产规模。公司表示，争取在3至5年时间内，将合资公司建设成为中国电子集团拥有一
https://www.alighting.cn/news/20101011/116776.htm2010/10/11 14:02:29
n damilano及其研究团队利用氮化铟镓(gainn)/氮化镓(GaN)制量子阱来产生蓝光及黄光，进而制作出wled。这项成果使wled的商业化有向前推进一步，未来有希望取代目前使用的白炽灯
https://www.alighting.cn/news/20081222/120143.htm2008/12/22 0:00:00
“使用蓝色led的白色led早晚会消失。”中村修二在7月24日举行的“GaN掀起能源革命”研讨会上发表演讲时说出的这番言论，震惊业内外。中村修二当初因开发出高效蓝色led而获
https://www.alighting.cn/news/20150811/131721.htm2015/8/11 16:41:08
e，ga
https://www.alighting.cn/news/20150907/132429.htm2015/9/7 9:39:15
有器件结构的GaN 基led 外延片，并制造了亮度很高的蓝光、绿光及紫光led 器件。超高亮度led 器件的出现，为led 应用领域的拓展开辟了极为绚丽的前
https://www.alighting.cn/news/20151127/134539.htm2015/11/27 10:23:31
据悉，2015年度国家科学技术奖拟于2016年1月份在人民大会堂举办颁奖典礼。据分析，备受瞩目的技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目。硅衬底项目的主
https://www.alighting.cn/news/20151222/135500.htm2015/12/22 9:31:11
民大会堂举办颁奖典礼。据分析，备受瞩目的技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(下称“硅衬底项目
https://www.alighting.cn/news/20151222/135509.htm2015/12/22 9:52:17
2015年度国家科学技术奖颁奖典礼拟于本周五在北京人民大会堂举行。江西省上报的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目有望斩获技术发明一等奖。该技术发明正在撑起江西省千亿le
https://www.alighting.cn/news/20160108/136185.htm2016/1/8 9:55:45
让led的使用寿命更长、光效更高、价格更低，是很多led企业努力研究的问题。在展示区，扬州中科半导体照明有限公司展示了蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片及芯
https://www.alighting.cn/news/20160330/138591.htm2016/3/30 10:17:30
