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2007年7月26日，英国商业、企业和改革部(dberr)已发起名为 novelels的计划，致力于开发新型GaN芯片技术，将固态led光源商业化。
https://www.alighting.cn/news/20070727/104006.htm2007/7/27 0:00:00
汉的新厂房里，用于生产高亮（hb）GaN le
https://www.alighting.cn/news/2007726/V2541.htm2007/7/26 14:22:10
2007年7月24日，aixtron ag宣布其长期客户华上光电再次订购mocvd系统，用以开发、制备GaN 超高亮(uhb)led。此次订购的型号为aix 2800g4 h
https://www.alighting.cn/news/20070725/116752.htm2007/7/25 0:00:00
汉的新厂房里，用于生产高亮(hb)GaN le
https://www.alighting.cn/news/20070718/116622.htm2007/7/18 0:00:00
led实现白光的方法有多种，其中技术相对简单的主流方法是在GaN基蓝光led芯片上涂一层黄色荧光粉。
https://www.alighting.cn/news/200779/V8101.htm2007/7/9 15:05:20
d 陆续安装投入使用，将使国内的 GaN mocvd 设备增加到 55
https://www.alighting.cn/news/20070618/92240.htm2007/6/18 0:00:00
q 和剑桥大学组成团队基于6英寸硅衬底开发GaN发射器，来实现低成本芯片的制
https://www.alighting.cn/news/20070608/103134.htm2007/6/8 0:00:00
p全部的led产品，其中包括350nm及360nm紫外GaN le
https://www.alighting.cn/news/20070606/120127.htm2007/6/6 0:00:00
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(GaN)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
2007年5月24日，台湾光鋐科技（epileds）订下两台thomas swan（aixtron子公司）ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮（hb）ga
https://www.alighting.cn/news/2007528/V5187.htm2007/5/28 15:56:52
