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GaN、aln、inn及其合金等材，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
2007年5月24日，台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮(hb)ga
https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可
https://www.alighting.cn/news/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术，通过优化结构设计，优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺，开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外
https://www.alighting.cn/news/2007522/V8003.htm2007/5/22 13:56:23
5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）非极性GaN材料研究小组（由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导）制造的蓝紫光inGaN le
https://www.alighting.cn/news/2007511/V2418.htm2007/5/11 11:09:40
a barbara；ucsb）非极性GaN材料研究团队，日前宣佈该团队研发出的蓝紫光inGaN le..
https://www.alighting.cn/news/20070510/106256.htm2007/5/10 0:00:00
2007年4月24日，日立电线株式会社（hitachi cable）确认成功开发产制出直径3英寸的GaN衬底，对于led产业将有正面助益。
https://www.alighting.cn/news/20070426/106320.htm2007/4/26 0:00:00
2007年4月24日，日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00
随著led性能持续地提高，应用市场也随之急速扩大，隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led
https://www.alighting.cn/news/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24
