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2013 版用于发改委立项高亮度led 外延片及芯片及封装技术项目可行性研究报告(全程辅助+专家答疑)审查要求及编制方案，仅供参考。
https://www.alighting.cn/2013/2/25 11:44:13
本报告该部分的内容先对led外延和芯片做一个简单的技术介绍，按照不同技术对led外延和芯片技术做了详细分类，并通过定性、定量以及趋势图表的分析方法对led外延和芯片方面的相关专
https://www.alighting.cn/resource/20130508/125628.htm2013/5/8 17:04:39
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
良品的外延片就要开始做电极(p极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测，
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
别在led衬底、外延、芯片的核心技术研究方面，已取得突破性成果。对led发展提出了不同的技术路线和“终极目标”的技术方案，以及提出新的发光材料。为此，本文除简要描述半导体照明上游产
https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
来自中国光协光电（led）器件分会的张万生对我国超高亮度led外延芯片国产化的进程进行了回顾与展望，不错的资料，现在分享给大家，欢迎大家下载附件查看详情。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:23:09
