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led半导体照明外延及芯片技术的现状与未来趋势

半导体照明光源的质量和led芯片的质量息息相关。进一步提高led的光效(尤其是大功率工作下的光效)、可靠性、寿命是led材料和芯片技术发展的目标。

  https://www.alighting.cn/2014/3/12 18:03:00

led半导体照明外延及芯片技术的最新进展

自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来,基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止,商品化白光le

  https://www.alighting.cn/resource/20130830/125359.htm2013/8/30 17:48:20

led外延材料及国内芯片业的发展及其拓展

led外延材料及国内芯片业的发展及其拓展

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12423.htm2007/2/8 14:07:15

led半导体照明外延及芯片技术的最新进展

自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来,基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止,商品化白光le

  https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25

在蓝光led和激光器外延片上消除弯曲

本文通过实验,仔细研究了衬底特性、生长温度和应变补偿层对晶片弯曲的影响。以改善光输出的均匀性。

  https://www.alighting.cn/resource/20141110/124115.htm2014/11/10 11:41:33

led芯片制作中衬底知识大全

外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。

  https://www.alighting.cn/resource/20140317/124774.htm2014/3/17 14:20:22

利用三步法mocvd生长器件质量的gan

在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43

mocvd生长gan基蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

澳洋顺昌led外延片及芯片产业化项目可行性研究报告

江苏澳洋顺昌光电技术有限公司(暂定名,以工商核准名称为准),由江苏澳洋顺昌金属材料股份有限公司和江苏鼎顺创业投资有限公司合资设立,注册资本2.5亿元人民币,其中,江苏澳洋顺昌金属材

  https://www.alighting.cn/2012/8/21 11:29:31

led外延片:五种衬底材料的综合比较

衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要;本文,简单介绍几种常用的衬底材料,以飨读者;

  https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36

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