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通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
采钰科技股份有限公司(visera technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属8寸外延片级led硅基封装技术，并以此项技术提供高功率led封装代工服务，对
https://www.alighting.cn/resource/20090917/128738.htm2009/9/17 0:00:00
采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
n外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,alxga1-xn外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由华灿光电股份有限公司的王江波/研发经理主讲的关于介绍《大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎下
https://www.alighting.cn/2013/6/17 11:30:17
日前，清华大学工程物理系技术物理研究所利用离心分离技术获得了同位素纯硅-28，并与本校微电子所合作，在普通硅片上外延成单晶状硅-28薄膜，并采用这种特殊的硅片研制出两种基本的微电子
https://www.alighting.cn/resource/20040910/128412.htm2004/9/10 0:00:00
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/19/165436_92.htm2012/6/19 16:54:36
一份介绍mocvd设备的技术资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/2013/10/30 14:41:44
本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义，现在经张国义教授的同意，发布于新世纪led网平台分享与大家，希望能够对大家
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36
xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高gan样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
