站内搜索
2012年2月24日，日本丰田合成株式会社在台湾桃园地方法院对led晶片厂商璨圆光电提起了侵权诉讼。在该诉讼中，丰田合成提出被告侵犯了有关氮化镓(GaN)发光二极体(led晶片)
https://www.alighting.cn/news/2012224/n354137752.htm2012/2/24 17:10:35
4月27日，日本led制造商丰田合成和昭和电工宣布组建合资企业，生产GaN基led芯片，以解决高端led芯片应用市场。丰田合成与昭和电工在2009年曾签署了一项专利交叉许可协议。
https://www.alighting.cn/news/201254/n808139433.htm2012/5/4 10:27:55
备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶ga
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno（氧化锌）类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
日本shimei semiconductor开发出了一种在硅晶圆上生成的蓝光led，并计划明年4月上市。该公司声称，把硅晶圆作为GaN外延附生的基板，可以显著降低成本、简化le
https://www.alighting.cn/news/2007210/V7950.htm2007/2/10 13:28:59
d showerhead)反应室和一套aix 2800g4 ht行星式反应室，这两款均是aixtron针对大尺寸GaN led制造的旗舰级设
https://www.alighting.cn/news/2008125/V13848.htm2008/1/25 11:10:44
近日，科技部公布“十二五”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目立项名单，其中南昌大学申报的“大尺寸si衬底GaN基led外
https://www.alighting.cn/news/2012214/n966637529.htm2012/2/14 10:21:25
2月9日，记者从江西省科技厅获悉，江西省“大尺寸si衬底GaN基led外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元，居全国14项课
https://www.alighting.cn/news/2012210/n117137431.htm2012/2/10 8:55:09
上海 ims research在2011年4月1日刚刚发布了最新一季的GaN led供求报告，报告显示2011年对于led供应链来说又是光明的一年。然而，led上游供应链的蓬勃态
https://www.alighting.cn/news/201146/n256031084.htm2011/4/6 10:56:02
