站内搜索
上海 ims research在2011年4月1日刚刚发布了最新一季的GaN led供求报告，报告显示2011年对于led供应链来说又是光明的一年。然而，led上游供应链的蓬勃态
https://www.alighting.cn/news/201146/n256031084.htm2011/4/6 10:56:02
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno（氧化锌）类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
半导体照明引发照明领域第三次革命。上世纪九十年代末，第三代半导体材料GaN 技术的突破引发了照明领域的第三次革命，其标志是基于半导体发光二极管（led）的固态照明（亦称“半导体灯
https://www.alighting.cn/news/200794/V3821.htm2007/9/4 11:54:11
近几年人们制造led晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅sic)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09
本文根据目前半导体照明的最新研究进展，介绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程
https://www.alighting.cn/news/200961/V19863.htm2009/6/1 9:33:11
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（sic）与氮化镓（GaN）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/news/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
GaN(氮化镓)系蓝紫色发光组件可应用于新世代dvd，因此备受相关业者高度期待，此外利用led高辉度、省能源的发光特性，蓝紫色发光组件未来还可取代传统的白炙灯、荧光灯，成为白光
https://www.alighting.cn/news/2007912/V12782.htm2007/9/12 14:13:45
自20世纪90年代三位日裔科学家赤崎勇、天野浩和中村修二在GaN基蓝光led技术取得的重大突破以来，led技术快速发展。这也强有力地推动了照明技术的发展，已经并将对照明技术产生巨
https://www.alighting.cn/news/20150305/83161.htm2015/3/5 11:05:31
目前广泛用于照明、显示等可见光领域的GaN基蓝、绿光和白光led市场竞争激烈，已经成为“深红海”。因此，市场逐渐向被一直认为是“蓝海”的 紫外(uv)波段渗透。但是，紫外led由
https://www.alighting.cn/news/20150403/84109.htm2015/4/3 9:36:55
