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英国专家用半极性GaN生长高效益led

英国雪菲尔大学(sheffield university)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(applied physics letter)期刊上发布在半极性氮化镓(ga

  https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40

标准GaN外延生长流程

本文为《标准GaN外延生长流程》以图文结合的方式阐述了GaN基外延片的生长过程与流程,使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。

  https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49

GaN的极性特征、测量及应用

GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方

  https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53

p型GaN欧姆接触的研究进展

宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53

全球GaN芯片产能中国增长最快

GaN 芯片的产能主要集中在台湾和日本,但中国大陆和韩国产能增长迅速,也成为重要的生产区域。

  https://www.alighting.cn/news/20060831/92234.htm2006/8/31 0:00:00

GaN基材的3种特性

GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。

  https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54

什么是GaN的最佳衬底?

对于高亮度led制造业来说,蓝宝石上GaN明显是一种领先的方案;sic上GaN几乎也一样,对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言,它是一张中奖彩票。硅上GaN也是用于这几个市场,但

  https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37

【led术语】GaN(gallium nitride)

由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27

mocvd生长GaNGaN:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaNGaN:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59

n极性GaN薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

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