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led是成功的过去，砷化镓是崭新的开始：三安led业务已经向全球龙头迈进，除此之外，公司已经从单纯的led芯片厂商进军了第二代gaas和第三代GaN，是国内目前唯一一家成功能够量
https://www.alighting.cn/news/20150403/84115.htm2015/4/3 10:04:17
https://www.alighting.cn/news/20150403/96916.htm2015/4/3 9:41:24
目前广泛用于照明、显示等可见光领域的GaN基蓝、绿光和白光led市场竞争激烈，已经成为“深红海”。因此，市场逐渐向被一直认为是“蓝海”的 紫外(uv)波段渗透。但是，紫外led由
https://www.alighting.cn/news/20150403/84109.htm2015/4/3 9:36:55
为了简化分析过程，进一步理清涉及到led芯粒本身的失效机理，本文对所取样的led芯粒仅进行简单的金胶固定。本文从外延角度出发，通过研究不同波段的GaN led在加速电流应力条件下
https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20
本文通过对椭偏光谱的理论计算，拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子震荡的频率及阻尼常量，并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。
https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:15:14
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k～16
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28
研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51
自20世纪90年代三位日裔科学家赤崎勇、天野浩和中村修二在GaN基蓝光led技术取得的重大突破以来，led技术快速发展。这也强有力地推动了照明技术的发展，已经并将对照明技术产生巨
https://www.alighting.cn/news/20150305/83161.htm2015/3/5 11:05:31
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得GaN 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
