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led照明灯mocvd外延生长技术

一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料,分享了衬底材料的选择,以及外延技术的发展趋势等内容,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01

led芯片及器件的分选测试

本文主要介绍led芯片及器件的分选测试,led的分选有两种方法:一是以芯片为基础的测试分选,二是对封装好的led进行测试分选。

  https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50

硅基氮化镓在大功率led的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

缓冲层生长压力对mocvd gan性能的影响

利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长gan时,gan低温缓冲层的生长压力对高温生长gan外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

2013新世纪led高峰论坛ppt汇总

本文章汇总了2013新世纪led高峰论坛企业演讲ppt资料,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/6/19 11:55:51

2013ls:晶能-硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

2013ls:华灿光电—大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由华灿光电股份有限公司的王江波/研发经理主讲的关于介绍《大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究》的讲义资料,现在分享给大家,欢迎下

  https://www.alighting.cn/2013/6/17 11:30:17

led专利浅析

led行业是一个高技术壁垒的行业,这里指的是上游芯片和外延片,该环节目前占到了整个产业链产值的70%。做led芯片。外延片要比单纯做封装、做下游应用产品难得多,这当中涉及技术,工

  https://www.alighting.cn/2013/6/13 15:50:44

led外延片介绍及辨别质量方法

外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电

  https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42

转移基板材质对si衬底gan基led芯片性能的影响

在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

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