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以GaN 基蓝光l ed 芯片为基础光源制备了大功率蓝光led ,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led 进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。结
https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
人类照明的历史经历了漫长的发展过程。过去，人们曾长期靠燃烧木材照明；直到1772年燃气照明才进入人们的生活；1879年爱迪生发明白炽灯，从此人类的照明进入了一个崭新的时代。
https://www.alighting.cn/resource/20060627/128801.htm2006/6/27 0:00:00
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
据测算，当前随着 mocvd设备在半导体制造业中的广泛应用，全世界每年对mocvd设备约有300台的市场需求，其中gan-mocvd设备每年至少需求120台。我国“十一五”期间约需
https://www.alighting.cn/news/20060220/91064.htm2006/2/20 0:00:00
氮化镓的格子缺陷很多却能够产生高辉度，主要原因是藉由奈米 技术控制组件结构，使得组件的发光效率得以提高，进而获得高辉度。因此本文要深入探讨氮化镓发光的奥秘，与提高发光效率的方法。
https://www.alighting.cn/resource/20060217/128920.htm2006/2/17 0:00:00
GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
材料供应商atmi公司已将其GaN业务以1025万美元的价格出售给cree公司。
https://www.alighting.cn/news/20051212/116460.htm2005/12/12 0:00:00
中村修二的团队成功地在新平面上生长出光滑的缺陷较少的薄膜。与此生长技术相关的专利已有12项正在申请。该薄膜生长技术涉及现有的横向外延过生长技术，但具体细节没有被披露。
https://www.alighting.cn/resource/20051106/128461.htm2005/11/6 0:00:00
2005年7月13日：一些专家认为，GaN可以在氧化锌(zno)衬底生长以制作无需荧光粉的白光leds，这种器件有可能获得更大的光输出并改善器件效能。
https://www.alighting.cn/resource/20050930/128446.htm2005/9/30 0:00:00
