站内搜索
能耗减半的关键点是采用半导体材料碳化硅(SiC)与硅基氮化镓(gan-on-si)，凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v
https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01
在led行业中，我国自主创新的硅衬底led技术被誉为继碳化硅(SiC)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线，其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒，拥
https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20
SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。典型的杂散参数如电感值，在电路中逐渐成为关键组件。
https://www.alighting.cn/resource/20140411/124685.htm2014/4/11 11:14:58
2013年新世纪led技术沙龙扬州站嘉宾技术分享资料共享，欢迎下载。
https://www.alighting.cn/2014/1/15 18:01:18
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。
https://www.alighting.cn/news/20131119/111789.htm2013/11/19 13:43:50
分享一份来自国金证券研究所的《led行业2013下半年上游报告》，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20131104/125156.htm2013/11/4 15:30:50
近日，关于SiC功率半导体的国际学会“icscrm 2013”于日本宫崎县举行。多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸(150mm)的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸(75mm～10
https://www.alighting.cn/news/20131009/111759.htm2013/10/9 16:50:25
gan和SiC对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进，特别是外延厚度;而后者，目前是一种昂贵的材料，不适合在消费类市场使用。更先进的SiC和gan,中国是完
https://www.alighting.cn/news/201396/n370855917.htm2013/9/6 10:42:55
传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
架的相应位置点上银胶或绝缘胶。 (对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。) 工
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2013/7/20/321585.html2013/7/20 20:58:51
