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led生产工艺及封装技术

架的相应位置点上银胶或绝缘胶。  (对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)  工

  http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2013/7/20/321551.html2013/7/20 20:58:39

led生产工艺及封装技术

架的相应位置点上银胶或绝缘胶。  (对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)  工

  http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2013/7/20/321505.html2013/7/20 20:58:30

led生产工艺及封装技术

架的相应位置点上银胶或绝缘胶。  (对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)  工

  http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2013/7/20/321490.html2013/7/20 20:58:26

gt推出碳化硅炉新产品线

gt advanced technologies于7月8日推出其新型SiClone(tm) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品

  https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46

硅衬底灯饰led芯片主要制造工艺解析

目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂

  https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37

日商air water量产全球最大尺寸SiC基板

日商air water inc.20日发布新闻稿宣布,已成功研发出可生产全球最大尺寸的“碳化矽(SiC)”基板量产技术,借由该技术所生产的SiC基板尺寸可达8寸(现行主流为4寸)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130522/122098.htm2013/5/22 10:21:38

cree推出更高性能的低成本SiC功率模块

cree目前推出业界首个商业化碳化硅(SiC)六只装功率模块(采用业界标准的45-mm包装)。如果取代同等额定值的硅模块,cree的六只装模块可以降低75%的功率耗损,从而可以直

  https://www.alighting.cn/news/20130516/112577.htm2013/5/16 9:45:17

低成本封装引领led第三波成长

变,其中一个值得注意的例子就是cree,其将led晶片放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led,其中的磊晶或碳化硅(SiC)基板已被去除,而led结构已接在另

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11

低成本封装引领led第三波成长

变,其中一个值得注意的例子就是cree,其将led晶片放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led,其中的磊晶或碳化硅(SiC)基板已被去除,而led结构已接在另

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58

宽禁带半导体SiC和zno的外延生长及其掺杂的研究

作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

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