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大功率白光led

介绍大功率白光led的一些相关专业知识,普及下对大功率白光led的专业知识,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 12:00:18

硅衬底gan基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

gan基led外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55

led 外延芯片和外延工艺

led 工作原理可知,外延材料是led 的核心部分,事实上,led 的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。

  https://www.alighting.cn/2013/3/22 13:51:32

我国超高亮度led外延芯片国产化的回顾与展望

来自中国光协光电(led)器件分会的张万生对我国超高亮度led外延芯片国产化的进程进行了回顾与展望,不错的资料,现在分享给大家,欢迎大家下载附件查看详情。

  https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:23:09

led晶片认识

一份由潘述栋整理的《led晶片认识》,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/3/18 10:16:45

led芯片制程与设备环境

一份介绍led芯片制程与设备环境的资料,作者是薛水源。现在分享给大家,欢迎各位下载附件。

  https://www.alighting.cn/2013/3/14 10:02:24

激光处理的蓝宝石可增加hvpe gan厚度

日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的gan层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)

  https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21

gan基蓝光led关键技术进展

n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, p 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末

  https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56

外延mocvd基本原理及led各层结构

来自维易科公司的关于《外延mocvd基本原理及led各层结构》的技术资料,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:54:13

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