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si衬底GaN基蓝光led老化性能

为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断,本样品不灌胶,目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20

GaN基板白色led 可提高车前灯设计自由度

松下在“electronica 2014”上展示了用于汽车前灯的白色led。松下的白色led的特点是,蓝色led芯片是在GaN基板上制造的。与通常的蓝宝石基板相比,更容易提高电

  https://www.alighting.cn/news/20141120/110405.htm2014/11/20 19:21:03

松下展示GaN基板白色led 可提高车前灯设计自由度

  https://www.alighting.cn/news/20141120/n753967319.htm2014/11/20 10:15:23

led照明散热技术get√

本文对led发热问题就行了分析,强调散热技术对led发展的重要性。

  https://www.alighting.cn/resource/20141114/124092.htm2014/11/14 10:58:12

功率型白光led光学特性退化分析

GaN基蓝光芯片涂敷yag荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 w的自光发光二极管(led),对其施加900ma的电流应力,在老化过程中测量白光led的主要光学参数,考察其光学特

  https://www.alighting.cn/resource/20141113/124094.htm2014/11/13 14:26:30

不同基板1 w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led 器件,并对其老化特性进行了对

  https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34

新材料器件进展与GaN器件封装技术研究

本文介绍了关于新材料器件进展与GaN器件封装技术研究,有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢!~

  https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38

[研发故事] 率先让蓝色led发光的赤崎和天野(下)

赤崎和天野研究室于1992年在未使用inGaN单晶的情况下,制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型alGaN和n型alGaN之间夹住掺杂了zn和si的GaN层双异质结

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13

[研发故事] 率先让蓝色led发光的赤崎和天野(上)

赤崎和天野的研究小组,就在GaN类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”,获奖理由中有这样一段话:“在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18

GaN基蓝光led关键技术进展

本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延,p型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21

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