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行GaN基发光器件的物理研究，于2004年初获得材料科学博士学位。毕业后，刘榕博士继续跟随prof. f. ponce做为博士后从事发光器件研究工作。2005年加盟美国蓝族半导体科技公
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/11/349148.html2014/3/11 17:53:32
家prof. fernando a. ponce，进行GaN基发光器件的物理研究，于2004年初获得材料科学博士学位。毕业后，刘榕博士继续跟随prof. f. ponce做为博士后从
http://blog.alighting.cn/205341/archive/2014/3/11/349147.html2014/3/11 17:43:20
得益于照明以及平板电脑和手机的背光需求，2013年全球氮化镓led营收从2012的112亿美元增至124亿美元，增幅为10.6%，但这将是该市场最后一次市场两位数增长，到2014年
https://www.alighting.cn/news/20140219/98146.htm2014/2/19 9:53:42
众所周知，绿光led的性能水平达不到同等红光和蓝光led。但可以通过降低电流密度、使用一个更大的芯片以及优化生长条件来减少黑点，能够尽可能缩小在100ma驱动电流条件下，达到190
https://www.alighting.cn/resource/20140117/124895.htm2014/1/17 16:05:30
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
近几年来，硅衬底GaN基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，GaN/si基器件成为一个研究热点。然而, GaN与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸为
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
