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为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的GaN基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅GaN基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
域的高水平技术和经验与东芝的半导体量产技术融合在一起，从而扩充白色led产品的产品线，同时扩大量产规模、强化竞争力。东芝表示，将充分运用此次收购的资产，加快GaN功率半导体的开发和产
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/4/29/315893.html2013/4/29 8:55:24
李允立總經理畢業於臺灣大學物理系，之後赴美國波士頓大學攻讀碩士及博士，師事於prof. e. fred schubert 從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件，特別是發光二
http://blog.alighting.cn/liyunli/2013/4/25 18:44:41
部(项目投资额1.5亿元)，开发和生产第三代半导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
圳方大集团股份有限公司（股票代码：000055），参与创建半导体事业部（项目投资额1.5亿元），开发和生产第三代半导体材料氮化镓基（GaN）蓝光发光二极管（led）芯片及相关产品，
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/2013/4/25 17:19:23
. fred schubert 從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件，特別是發光二極體(led)與固態半導體照明(ssl)的研究;後隨prof. schubert轉校到壬色列理
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/24/315491.html2013/4/24 21:37:00
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(al2o
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随着压
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04
