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光电激发方式对algainp及GaN基led电学特性的影响

采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因素

  https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09

【有奖征稿】非极性GaN薄膜及其衬底材料

一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性GaN薄膜及其衬底材料》的资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03

浅析芯片发展瓶颈 高亮度led芯片硅衬底渐成主流

高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系,红、橙、黄、绿色的algainp体系,绿色和蓝色的inGaN体系,以及紫外光的GaN和alGaN体系。目前inGaN

  https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22

图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极

  https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01

GaN基功率led电应力老化早期的退化特性

大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

led外延结构的内量子效率的提高方法

叉的位错线是呈现黑色的,可以推断晶格不匹配增加,iqe下降。虽然gaas和inp中晶格匹配和iqe显示很强的关系,但是GaN中这种关系却不明显,这主要是GaN中位错的电学活性很

  http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11

不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

p层厚度对si基GaN垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led

一份出自北京大学,关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led》的技术资料,现在分享给大家,欢迎下载附件。

  https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00

高亮度芯片面临的发展瓶颈

现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量,从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长,利用非极性技术,可最大限度地减少活性层的缺陷,使得led芯

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21

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