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以高亮度GaN 基蓝光led 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击, 并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN 基材料的基本特性, 分析了ga
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
因照明用led需求大增，三菱化学计划在2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。目前，三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产GaN基板，生产的产品直径为
https://www.alighting.cn/news/2013311/n055549523.htm2013/3/11 9:11:27
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高GaN 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长GaN 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理，以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newled，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基led。
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:39
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:29
https://www.alighting.cn/news/20130305/99296.htm2013/3/5 10:49:31
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备GaN基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
该项目的目的是发展无磷led的结构与增加亮度(每面每角发射功率)，如果成功，将避免使用荧光粉转换，以及减少GaN led pump的不同老化率功率损失。
https://www.alighting.cn/news/201335/n600249395.htm2013/3/5 9:34:33
https://www.alighting.cn/news/201334/n495549364.htm2013/3/4 15:03:15
