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npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(GaN)衬底用于氮化镓的外延生长，从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层
https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20
德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布，聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统，用于大批量生产氮化镓(GaN)发光二极管(led)外延片。所订购系统每
https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45
灯不同，led灯基本上就是能发光的半导体芯片。白炽灯通过灯丝发光，荧光灯通过汞蒸气传导电流来发光。led灯通过一片熔合了氮化镓(GaN)的基底材料，加上电压就会发光。led灯更节
http://blog.alighting.cn/fangke/archive/2013/1/11/307063.html2013/1/11 9:46:47
年，国内企业芯片营收增长23%，达到80亿元。2011年，国内GaN芯片产能利用率在50%左右，全年产量仅为1150亿颗，产量增速为63%，远大于产值增速。整体来看，芯片的国产化率
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/9/306822.html2013/1/9 11:01:45
黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led照明灯具的中批量生产。据预测，到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2012/12/31/306139.html2012/12/31 8:49:19
中村修二教授的报告题目名为“recent advances in nonpolar and semipolar GaN for blue and green lase
https://www.alighting.cn/news/20121226/n474247336.htm2012/12/26 9:46:47
管人员，对芯片制造和应用有着丰富经验。其中有德国亚森工业大学教授，axitron公司副总裁，GaN器件外延技术专家michael heuken教授；德国亚森工业大学教授，GaN器件外
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304609.html2012/12/17 19:39:08
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304554.html2012/12/17 19:38:37
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304525.html2012/12/17 19:38:17
d全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始，并且在以蓝宝石和sic衬底上生长GaN基led外延、芯片方面的专利布局已基本完成，所以说总体形势是不容乐观的。 中科院苏州纳米技术
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304217.html2012/12/17 19:34:26
