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led散热之led芯片散热

制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓冲。衬底材料导热系数w/(m·k)膨胀系数(x10e-

  http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/9/289456.html2012/9/9 11:47:13

推广国产设备成led产业当务之急?

主知识产权的生产型GaN基mocvd设备。这可以说是真正意义上的中国自主研发制造的可以应用于大生产线的生产型设备。国产设备有优势,但在推广中也存在不少问题。如何使国产高端装备实现在

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/9/5/289135.html2012/9/5 8:23:30

南昌led产业发展势如长虹

能光电进一步深入硅衬底GaN基核心技术的研究,力争将专利技术覆盖所有led生产领域,加大对在南昌生产的硅衬底led产品企业扶持力度,促进硅衬底led产品国际市场开拓的力度,把南昌打

  http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2012/8/30/288681.html2012/8/30 19:16:16

有关led专利的分析

于加速led大规模进入普通照明的进程。更有专家断言垂直结构GaN基led是市场所向,是半导体照明发展的必然趋势,必将逐步成为主流产品。  近年来cree、osram、philip

  http://blog.alighting.cn/infiled/archive/2012/8/27/287432.html2012/8/27 11:19:56

led照明要普及,封装成本需降低10倍

国外市场研究机构yole développement发布了“led产业现状”的最新报告,报告预测封装led每流明的成本还需要降低10倍才能促使led照明的大规模应用与普及。

  https://www.alighting.cn/news/20120813/88830.htm2012/8/13 15:41:14

美国能源部选定soraa引领GaN基质研发项目

美国能源部(doe)下属能源转换机构arpa-e已经选定氮化镓对氮化镓(GaN-on-GaN)新成立公司soraa来引领GaN基质研发项目。

  https://www.alighting.cn/news/2012810/n169042119.htm2012/8/10 11:43:37

郑见伟:光与建筑的可能性

明就认为led,led当然主要分两种,有GaN—led,还有oled。  我们至少在目前,包括清华大学在内,我自己也是从那儿毕业,以前在飞利浦工作,飞利浦商业公司实验室就比我们清华大

  http://blog.alighting.cn/zhengjianwei/archive/2012/8/7/284686.html2012/8/7 16:50:17

新品速递:科锐推出170lm/w原型led灯泡

、led照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。科锐led 照明产品的优势体现在氮化镓(GaN)和碳化硅(sic)等方面独一无二的材料技术与先

  http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2012/8/3/284019.html2012/8/3 9:33:18

投资火热,GaN市场2013年起飞

自2011年以来,50-250伏特(v)负载点(point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨,而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间,将借更优异的材料特

  https://www.alighting.cn/news/20120730/89039.htm2012/7/30 10:53:31

led芯片知识

5 的橙光led,gaas0.14p0.86 的黃光 led等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿

  http://blog.alighting.cn/131218/archive/2012/7/23/283142.html2012/7/23 22:26:43

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