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唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营，或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制，较大部分芯片资源来自集团外部，因此成本不具竞争力，在韩系三巨
https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36
5 的橙光led，gaas0.14p0.86 的黃光 led等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿
http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/6/30/280489.html2012/6/30 8:43:14
管一直处在研发阶段。传统的GaN基绿色雷射器不能实现足够的亮度和波长，只能达到几十毫瓦的输出功率，波长则为520纳米或更低。为克服这些挑战，住友电工与索尼合作发展一个真正的绿色半导
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/6/27/280011.html2012/6/27 8:52:26
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279540.html2012/6/20 23:07:29
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279535.html2012/6/20 23:07:24
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
车后部的高位刹车灯，90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年，日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后，世界上结束了没有原色蓝光的历史，在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
等。对于儿童和部分光辐射敏感人群，由于眼晴结构中各部分的光学特性的差异以及对光损伤的敏感性的不同，安全阈值仍在进一步规范之中(见图1)。 目前，GaN蓝光led及其涂荧光粉的白光
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279349.html2012/6/20 14:32:33
圆，需要大量低效耗时的生产阶段，比如将GaN薄膜从蓝宝石衬底上移开的激光剥离步骤。 一些硅衬底氮化镓方法持有怀疑的人则认为，在高温mocvd沉积过程中，由于两个晶体之间固有的晶格不匹
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11
