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来，日本“21世纪光计划”、美国“下一代照明计划”、欧盟“彩虹计划”、韩国“GaN半导体发光计划”等政府措施纷纷出台。欧盟、加拿大、澳大利亚和美国等分别将从2009、2010和202
http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278932.html2012/6/18 15:47:32
1,cree著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/6/18/278893.html2012/6/18 9:44:56
摘要：结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布，在硅载体上电镀制作了金凸点，然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明，在合适的热超声参数范围内，焊接
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12
led照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的8吋氮化镓上矽(GaN o
https://www.alighting.cn/pingce/20120601/122490.htm2012/6/1 10:04:57
结合功率型GaN 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性与尺
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47
电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274714.html2012/5/16 21:27:45
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274710.html2012/5/16 21:27:34
