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”上，田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的使用氧化镓β-ga2o3的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同点在
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309147.html2013/1/31 11:07:30
硅(si)、碳化硅(sic)以外，氧化锌(zno)和氮化镓(GaN)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片，还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片，技
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱led的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
通俗来讲，led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等GaN类半导体材
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料，实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高
https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35
出。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光
https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少GaN外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
本文研究了两组不同晶体质量的GaN外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
