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对大功率GaN基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型GaN基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将GaN薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
根据美国商业资讯报导，极特先进科技公司(gt advanced technologies)(nasdaq:gtat)与soitec(nyse euronext:soi)宣布一项开发
https://www.alighting.cn/news/20130320/112560.htm2013/3/20 11:28:14
术指标以及产品稳定性等方面均彰显出了国内绝对领先的优势，尤其突出的新产品有：s-45ebmup GaN基led功率型蓝光芯片，光通量45lm, 广泛应用于40寸以上液晶背光及照明领
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/3/19/311270.html2013/3/19 16:13:18
一份关于蓝宝石衬底的详细介绍，现在分享给大家，欢迎各位下载附件，查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:05:11
一份关于led用蓝宝石基板(衬底)的详细介绍，现在分享给大家，欢迎大家下载查看。
https://www.alighting.cn/2013/3/13 10:30:12
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
因照明用led需求大增，三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍，以藉此满足顾客端强劲的需求。
https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23
