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圳方大集团股份有限公司（股票代码：000055），参与创建半导体事业部（项目投资额1.5亿元），开发和生产第三代半导体材料氮化镓基（GaN）蓝光发光二极管（led）芯片及相关产品，
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/2013/4/25 17:19:23
. fred schubert 從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件，特別是發光二極體(led)與固態半導體照明(ssl)的研究;後隨prof. schubert轉校到壬色列理
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/24/315491.html2013/4/24 21:37:00
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(al2o
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随着压
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04
采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因素
https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09
一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性GaN薄膜及其衬底材料》的资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03
高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系，红、橙、黄、绿色的algainp体系，绿色和蓝色的inGaN体系，以及紫外光的GaN和alGaN体系。目前inGaN体
https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
