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镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业运用价值的led灯资料之一。 无极灯 全球led照明疾速开展，将会股动镓和铟需要的疾速增长，也会股动越来越多的公司和自己重视铟和
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
用的规模分别为80亿元、320亿元和1520亿元。其中，2012年国内企业芯片营收增长23%，达到80亿元;2011年国内GaN芯片产能利用率在50%左右，全年产量仅为1150亿颗，产
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/7/25/322056.html2013/7/25 11:28:45
随着政府财政的叫停,终端市场的进一步恶化,国际市场的需求乏力，对于普遍缺乏核心技术，缺少强而有力的核心研发团队的国内led芯片企业来说,2012年过的尤为艰难，在危机面前，所有的芯
https://www.alighting.cn/news/20130723/85469.htm2013/7/23 9:53:35
目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，sic同样存在硬度高且成本昂
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37
伦斯勒理工学院(rensselaerpolytechnicinstitute)的智慧照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化镓(GaN)上整合led和功率电晶体。研
https://www.alighting.cn/news/201371/n318353327.htm2013/7/1 10:13:24
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
亿美元。在高亮度led产品中，GaN基芯片由于产品附加值高，各国（地区）竞相扩大产能。GaN芯片的产能主要集中在台湾和日本，但中国大陆和韩国产能增长迅速，也成为重要的生产区
http://blog.alighting.cn/sbf6103/archive/2013/6/22/319750.html2013/6/22 23:28:55
在si衬底上生长了GaN基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板GaN基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
