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有研稀土 夏天 摘要：本文研究了由GaN基蓝光芯片和不同颜色荧光粉组成的三个白光led系统，提出了改善白光led显色性的解决方案。研究结果表明，在蓝光led芯片与黄粉系统中，在一
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317940.html2013/5/25 12:29:01
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的mg掺杂GaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高质量氮化镓(GaN)单晶薄膜的GaN模板全新量产技术，并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层基板，可以大幅提
https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的GaN基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅GaN基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
域的高水平技术和经验与东芝的半导体量产技术融合在一起，从而扩充白色led产品的产品线，同时扩大量产规模、强化竞争力。东芝表示，将充分运用此次收购的资产，加快GaN功率半导体的开发和产
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/4/29/315893.html2013/4/29 8:55:24
李允立總經理畢業於臺灣大學物理系，之後赴美國波士頓大學攻讀碩士及博士，師事於prof. e. fred schubert 從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件，特別是發光二
http://blog.alighting.cn/liyunli/2013/4/25 18:44:41
部(项目投资额1.5亿元)，开发和生产第三代半导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
