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副秘书长; 联建光电有限公司独立董事。 获奖情况： 在led应用方面已经进行的研究包括： 基于GaN基发光芯片的光提取效率问题; 非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系
http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49
到较高的良率。优势：通过mocvd技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层，由p/n结髮光区发出的光透过上面的p型区射出。由于p型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/12/1/345357.html2013/12/1 18:56:56
美国公司soraa于21日宣布将与纽约州合作，在纽约州水牛城建立半导体制造工厂，并聘请数百名工人。新工厂准备用于制造最先进的GaN on GaN led产品，预计将在2015年投
https://www.alighting.cn/news/20131122/111369.htm2013/11/22 10:45:30
目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在GaN on GaN技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今GaN o
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
分享一份来自国金证券研究所的《led行业2013下半年上游报告》，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20131104/125156.htm2013/11/4 15:30:50
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
在si衬底GaN基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
《led芯片制作》分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28
GaN和sic对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进，特别是外延厚度;而后者，目前是一种昂贵的材料，不适合在消费类市场使用。更先进的sic和GaN,中国是完
https://www.alighting.cn/news/201396/n370855917.htm2013/9/6 10:42:55
