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传统的氮化镓(GaN)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
为了降低si衬底GaN基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
目前在led制程中，蓝宝石基板虽然受到来自si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化（ps
https://www.alighting.cn/resource/20130816/125399.htm2013/8/16 11:56:41
对“用于GaN的生产型mocvd”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型GaNmocvd设备控制系统的特点;分析了mocvd设备控制技术的发展趋势。
https://www.alighting.cn/resource/20130814/125402.htm2013/8/14 11:46:44
度降低缺陷密度。采用非极性衬底生长led，可作显示屏、电视、手机等背光源，没有取向性，不要外置扩散片。采用半极性、非极性蓝宝石和GaN衬底生长led的核心技术，已取得突破性进
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将 GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm，wd=3
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/8/5/322854.html2013/8/5 17:00:54
镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业运用价值的led灯资料之一。 无极灯 全球led照明疾速开展，将会股动镓和铟需要的疾速增长，也会股动越来越多的公司和自己重视铟和
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
用的规模分别为80亿元、320亿元和1520亿元。其中，2012年国内企业芯片营收增长23%，达到80亿元;2011年国内GaN芯片产能利用率在50%左右，全年产量仅为1150亿颗，产
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/7/25/322056.html2013/7/25 11:28:45
随着政府财政的叫停,终端市场的进一步恶化,国际市场的需求乏力，对于普遍缺乏核心技术，缺少强而有力的核心研发团队的国内led芯片企业来说,2012年过的尤为艰难，在危机面前，所有的芯
https://www.alighting.cn/news/20130723/85469.htm2013/7/23 9:53:35
