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今年，南昌大学江风益教授所率团队研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目一举拿下国家技术发明一等奖，整个led产业为之振奋，打造“南昌光谷”，力争到2020年实现产业规
https://www.alighting.cn/news/20161017/145190.htm2016/10/17 9:40:13
值得一提的是，继“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”获得2015年国家技术发明一等奖后，半导体照明行业在2016年度科技奖励大会上再次斩获奖项，“多界面光-热耦合白光led封
https://www.alighting.cn/news/20170110/147436.htm2017/1/10 9:38:55
半导体照明是一场成功的技术革命，是第三代半导体材料(GaN)产业化应用的突破口，已经在照明产业的变革中确立了主导地位。随着绿色、低碳、可持续发展的需求，全球半导体照明产业进入新一
https://www.alighting.cn/news/20171025/153292.htm2017/10/25 10:30:13
、GaN hemt等光电半导体产
https://www.alighting.cn/news/20180517/156890.htm2018/5/17 10:16:59
队开发了一种用于在塑料上制造数千个蓝色氮化镓(GaN)micro led(厚度2μm)阵列的一次性转移方
https://www.alighting.cn/news/20180620/157271.htm2018/6/20 9:32:48
以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等为代表的第三代半导体材料具备高频、高效、耐高压、抗辐射能力强等优越性能，是支撑半导体照明、新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道交通、能源互联
https://www.alighting.cn/news/20190531/162047.htm2019/5/31 11:41:40
．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于GaN基led的衬底材料比较多,但是能用于商品化的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的mg掺杂GaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。 1998 年发白光的 led 开发成功。这种 led 是将 GaN 芯片和钇铝石榴石（ yag ）封装在一起做成。 GaN 芯片发蓝
http://blog.alighting.cn/ggzhaoye/archive/2010/7/8/54597.html2010/7/8 14:34:00
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
