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公告称，项目投产后，可形成年产高亮度GaN蓝光外延片72万片、背光芯片46亿颗、照明芯片3.9亿颗的生产规模。公司表示，争取在3至5年时间内，将合资公司建设成为中国电子集团拥有一
https://www.alighting.cn/news/20101011/116776.htm2010/10/11 14:02:29
n damilano及其研究团队利用氮化铟镓(gainn)/氮化镓(GaN)制量子阱来产生蓝光及黄光，进而制作出wled。这项成果使wled的商业化有向前推进一步，未来有希望取代目前使用的白炽灯
https://www.alighting.cn/news/20081222/120143.htm2008/12/22 0:00:00
“使用蓝色led的白色led早晚会消失。”中村修二在7月24日举行的“GaN掀起能源革命”研讨会上发表演讲时说出的这番言论，震惊业内外。中村修二当初因开发出高效蓝色led而获
https://www.alighting.cn/news/20150811/131721.htm2015/8/11 16:41:08
2015年度国家科学技术奖颁奖典礼拟于本周五在北京人民大会堂举行。江西省上报的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目有望斩获技术发明一等奖。该技术发明正在撑起江西省千亿le
https://www.alighting.cn/news/20160108/136185.htm2016/1/8 9:55:45
且提高其效率。(所有图片来源：伊利诺大学)使用产业内标准的半导体长晶技术，研究人员在硅基板上制造氮化镓(GaN)晶体，这种晶体能够产生高功率的绿光，应用于固态照
https://www.alighting.cn/news/20160803/142500.htm2016/8/3 9:46:58
GaN 基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得 GaN 基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
电，led正负两个电极乃设在同面。当电流通过GaN晶格时，电流必须由垂直顺流改成水平横流且集中在内弯处，导致无法有效使用p-n接口的电子层和空穴层，因而减少了发光效率。更有甚者，电流集
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
式，在全世界范围内布置专利网。目前主要国家和地区专利状况请见附表。国际上有关GaN基材料和器件的专利有以下特点： 有关GaN基材料的专利数量大，总数在数千项以上，但大
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
3)?;硅 (si)碳化硅(sic)[/url]蓝宝石衬底通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
