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镓 GaN)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/news/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
d全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始，并且在以蓝宝石和sic衬底上生长GaN基led外延、芯片方面的专利布局已基本完成，所以说总体形势是不容乐
https://www.alighting.cn/news/20121205/88527.htm2012/12/5 14:57:05
当然GaN与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题，很容易出现龟裂现象，要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为，硅衬
https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23
ims research 6月发布的上一季度报告中，由于今年上半年供应过剩增加，lcd和led面板增长缓慢以及照明市场成本没有竞争力使得2011年上半年asp降低，GaN le
https://www.alighting.cn/news/20110816/90334.htm2011/8/16 10:35:28
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(GaN)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
由于半导体照明产业潜藏着巨大的经济和社会效益，许多国家和地区纷纷制定了发展计划，例如美国“国家半导体照明研究计划”、日本“21世纪光计划”、韩国“GaN半导体开发计划”、欧盟“彩
https://www.alighting.cn/news/20070803/101061.htm2007/8/3 0:00:00
件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。终端产品是led芯片、led灯和照明系统，其亮度堪比当今最好的灯具。le
https://www.alighting.cn/news/20081224/101146.htm2008/12/24 0:00:00
德国欧司朗光电半导体(osram opto semiconductors gmbh)开发出了新型led结构「ux:3」。该结构不仅能够大幅提高蓝色led等GaN类led的外部量
https://www.alighting.cn/news/20101014/105146.htm2010/10/14 0:00:00
n damilano及其研究团队利用氮化銦鎵(gainn)/氮化鎵(GaN)制量子阱来产生蓝光及黄光，进而制作出wled。这项成果使wled的商业化有向前推进一步，未来有希望取代目前使
https://www.alighting.cn/news/20081223/105943.htm2008/12/23 0:00:00
