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随着技术的发展，led的效率有了非常大的进步。在不久的未来led会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造led芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片(外延片)，外延片所
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
1991年，日亚公司研制成功同质结GaN基蓝光led，峰值波长430nm，光谱半宽55rim，其光输出功率为当时市场上sicled的10倍，外量子效率约为0．18％。 1995
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于GaN基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25
有十分重要的意义。 大功率led路灯与常规高压钠灯路灯不同的是，大功率led 路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，具有高效、安全
https://www.alighting.cn/resource/2010726/V1130.htm2010/7/26 14:10:23
员研发出了新型超高亮度led食品均匀照明技术，该技术对led照明与反射技术进行了集成，将很好解决食品照明问题。而日本东京大学则致力于研发新款矽胶制led，与目前的氮化镓(GaN)
https://www.alighting.cn/news/201254/n134639441.htm2012/5/4 16:03:26
圳方大集团股份有限公司（股票代码：000055），参与创建半导体事业部（项目投资额1.5亿元），开发和生产第三代半导体材料氮化镓基（GaN）蓝光发光二极管（led）芯片及相关产品，
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/2013/4/25 17:19:23
https://www.alighting.cn/resource/20130830/125359.htm2013/8/30 17:48:20
域的高水平技术和经验与东芝的半导体量产技术融合在一起，从而扩充白色led产品的产品线，同时扩大量产规模、强化竞争力。东芝表示，将充分运用此次收购的资产，加快GaN功率半导体的开发和产
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/4/29/315893.html2013/4/29 8:55:24
led制作流程分为两大部分。1、在衬底上制作氮化镓（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之
http://blog.alighting.cn/mule23/archive/2008/12/2/9371.html2008/12/2 14:14:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - p型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
