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于加速led大规模进入普通照明的进程。更有专家断言垂直结构GaN基led是市场所向，是半导体照明发展的必然趋势，必将逐步成为主流产品。 近年来cree、osram、philip
http://blog.alighting.cn/infiled/archive/2012/8/27/287432.html2012/8/27 11:19:56
现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将 GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm，wd=3
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/8/5/322854.html2013/8/5 17:00:54
度降低缺陷密度。采用非极性衬底生长led，可作显示屏、电视、手机等背光源，没有取向性，不要外置扩散片。采用半极性、非极性蓝宝石和GaN衬底生长led的核心技术，已取得突破性进
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠、重量轻、体积小等一系列特性。近年来，led发展突飞猛进。其中基于氮化镓GaN材料的高亮度功率型半导体照明是化合物半导体乃至整个光电子和半导体产业
https://www.alighting.cn/resource/2009518/V854.htm2009/5/18 11:06:37
镓（inGaN ）led电容（capacitance）。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型GaN薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
发 光 原 理led作为第四代固体照明光源,有着极其广泛的应用前景.一.发光原理发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物.如gaas、gap、gaasp/gaalas、ingaalp、GaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229893.html2011/7/17 23:02:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
