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度led产品中，GaN基芯片由于产品附加值高，各国（地区）竞相扩大产能。GaN芯片的产能主要集中在台湾和日本，但中国大陆和韩国产能增长迅速，也成为重要的生产区域。 led产业面
http://blog.alighting.cn/hdking/archive/2010/1/4/24640.html2010/1/4 22:02:00
光灯的新一代节能照明巨大市场。 日本的企业及大学为开发高亮度蓝色led做出了巨大贡献。在GaN led的研究阶段,名古屋大学赤崎勇教授(现为名城大学特聘教授)领导的研究小组取
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40239.html2010/4/14 22:49:00
0年代中期的技术突破实现了第一个基于GaN的实用led。现在还有许多公司在用不 同的基底如蓝宝石和sic生产GaN led，这些led能够发出绿光、蓝光或紫罗兰等颜色。高亮蓝色le
http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00
色的光源。 1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石（yag）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λ p =465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含c
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106903.html2010/10/15 14:58:00
合红、绿和蓝三色led发出的光，也可利用蓝光led和黄光荧光粉来实现。两种选择都需要基于GaN的蓝光led，所有不同类型的这种器件都有一个共同的缺点：大部分的光被束缚在有源区内，不
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
功率led由于芯片的功率密度很高，器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前GaN基外延衬底材料有两大类：一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石；一
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与热沉芯片（硅、铜、氮化镓（GaN）、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
l)的。90年代中期的技术突破实现了第一个基于GaN的实用led。现在还有许多公司在用不同的基底如蓝宝石和sic生产GaN led，这些led能够发出绿光、蓝光或紫罗兰等颜色。高亮蓝
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179868.html2011/5/20 0:30:00
将GaN芯片和钇铝石榴石（yag）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射，峰值55
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/6/228855.html2011/7/6 17:44:00
时r很大；开启电压对于不同led其值不同，gaas 为1v，红色gaasp 为1.2v，gap 为1.8v，GaN 为2.5v。 （2）正向工作区：电流if 与外加电压呈指数关
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00
