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源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262783.html2012/1/29 0:45:06
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268345.html2012/3/15 21:56:42
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271167.html2012/4/10 20:58:52
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279535.html2012/6/20 23:07:24
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01
照灯光源等，红色led与蓝色led及绿色led相比，驱动电压和温度特性也有所不同。这是因为半导体材料不同，红色led采用alingap，而蓝色led和绿色led采用GaN类材料。驱
http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/15/359066.html2014/10/15 10:58:02
种led是将GaN芯片和钇铝石榴石（yag）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射，峰
http://blog.alighting.cn/xi1225/archive/2008/10/14/702.html2008/10/14 18:03:00
点。目前，国外的研究方向主要是氮化镓（GaN）基led的大功率、高亮度、低成本。#next# 国内约20余家研究机构和企业正在进行GaN蓝绿光led与白光led的研究和开发，但目
http://blog.alighting.cn/1322/archive/2007/11/26/8135.html2007/11/26 19:28:00
色gaasp为1.2v，gap为1.8v，GaN为2.5v。（2）正向工作区：电流if与外加电压呈指数关系if=is(eqvf/kt–
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/31/9242.html2008/10/31 17:45:00
