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计开发出了具有自主智慧财产权的mocvd设备，并完成了第一代单腔体独立设备和高产出率的簇式生产系统的生产组装，成功地实现GaN基led外延片的发光。 经过设备原型机近1年的运行证明
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304165.html2012/12/17 19:33:48
底的GaN芯片制备；GaN、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型GaN基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材料；10
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
底的GaN芯片制备；GaN、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型GaN基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
值。 科锐的市场优势关键来源于公司在有氮化镓（GaN）的碳化硅（sic）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/3/1/34577.html2010/3/1 13:10:00
面下手，此层面的作法相当多，依据不同的化合材料也有不同，目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN，前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光，后者ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。一般来说，GaN的成长须要很高的温度来打断nh3之n-h的键解，另外一方面由动力学仿真也得知nh3和mogas会进行反应产生没有挥发
http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/24/226838.html2011/6/24 8:33:00
素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为led主要使用材料之一。GaN氮化镓。氮化镓,是ⅲ-ⅴ族元素化合的化合
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
同,目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN,前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光,后者GaN用来产生绿、翠绿、蓝光,以及用inGaN产生近紫外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。 一般来说，GaN的成长须
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233086.html2011/8/19 23:56:00
