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、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

叉的位错线是呈现黑色的，可以推断晶格不匹配增加，iqe下降。虽然gaas和inp中晶格匹配和iqe显示很强的关系，但是GaN中这种关系却不明显，这主要是GaN中位错的电学活性很

http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11

用GaN制造的蓝光led。蓝光led的开发使得有较宽光谱宽度的白光led研制成为可能。　　目前，白光led通常是将GaN的蓝色led和钇铝石榴石荧光粉相结合，或者用红光led、绿

http://blog.alighting.cn/1062/archive/2007/11/26/8309.html2007/11/26 19:28:00

在led应用方面已经进行的研究包括： l 基于GaN基发光芯片的光提取效率问题； l 非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系统的设计问题，采用边缘光线二维补偿设计方法，解

http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2009/2/19/9691.html2009/2/19 12:02:00

管一直处在研发阶段。传统的GaN基绿色雷射器不能实现足够的亮度和波长，只能达到几十毫瓦的输出功率，波长则为520纳米或更低。为克服这些挑战，住友电工与索尼合作发展一个真正的绿色半导

http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/6/27/280011.html2012/6/27 8:52:26

用GaN制造的蓝光led。蓝光led的开发使得有较宽光谱宽度的白光led研制成为可能。　　目前，白光led通常是将GaN的蓝色led和钇铝石榴石荧光粉相结合，或者用红光led、绿

http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282509.html2012/7/19 10:34:30