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底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/nonuea12/archive/2011/4/19/166205.html2011/4/19 21:26:00
韩国—GaN半导体开发计划 欧洲—彩虹计划 中国—国家半导体照明工程 由于led的光源特性、特殊的产品设计以及高效率驱动电路,而且在光学设计方面,led是单向
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179091.html2011/5/17 16:25:00
道，维持向上格局。ims research的预估，2011年GaN led出货量将达620亿颗，总产值则由2010年的80亿美元跃升至108亿美元，首次突破百亿大关。 led
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
率led路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，发光二极管(lightemittingdiode，简写为led)是基于半导体pn结形
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221772.html2011/6/18 20:17:00
光输出相对结温25℃时降低约11%. 目前，使用最多的GaN基白光led的温度系数大多在2.0×10-3~4.0×10-3之间，有的甚至达到了5.0×10-3.k值偏大的le
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
造流程是：首先在外延片顶部的p型GaN上淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
展的发光二极管给未来照明带来曙光。1996年，日本日亚化学公司在GaN蓝光发光二极管的基础上，开发出以蓝光led激发钇铝石榴石荧光粉而产生黄色荧光，所产生的黄色荧光进而与蓝光混合产
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222046.html2011/6/19 22:53:00
、黄、绿等多种单色led，并用于各种信号指示、标识、数码显示，逐步发展到小型led显示屏等。1991年业界采用mocvd外延生长四元系材料，开发出高亮度发光二极管；1994年在ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00
