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l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
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d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261534.html2012/1/8 21:48:44
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261609.html2012/1/8 21:57:49
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262604.html2012/1/29 0:33:07
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