站内搜索
圆，需要大量低效耗时的生产阶段，比如将GaN薄膜从蓝宝石衬底上移开的激光剥离步骤。 一些硅衬底氮化镓方法持有怀疑的人则认为，在高温mocvd沉积过程中，由于两个晶体之间固有的晶格不匹
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279540.html2012/6/20 23:07:29
5 的橙光led，gaas0.14p0.86 的黃光 led等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿
http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/6/30/280489.html2012/6/30 8:43:14
场供过于求，在竞争激烈的同时，价格急剧下滑，这样一来将进一步提高led照明市场的渗透率。 当然，日本在GaN蓝、绿光led等领域突破了一批产业关键和共性技术并在世界范围内设立了专利
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281414.html2012/7/11 14:05:37
灯。昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(GaN)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺，主要用于蓝色和白色led。2007年2月， philip s lumileds宣布le
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281426.html2012/7/11 14:28:49
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282564.html2012/7/19 10:58:17
n(氮化铟镓)基片上研制出了第一只蓝色led，由此开启了GaN基led灯研究和开发热潮，蓝光的出现使得白光led成为可能。 20世纪90年代后期，研制出通过蓝光激发yag荧光粉产生白
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282605.html2012/7/19 11:05:03
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282699.html2012/7/19 11:47:15
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282701.html2012/7/19 11:47:19
