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1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
采用 x 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2led 器件进行可靠性试验 。对
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32
1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗震
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
1 引言自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗震、高
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
据日本经济新闻报导，三菱化学与蓝光led之父中村修二(shuji nakamura)已成功透过液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。报导指出，从上述晶体切割出的基板其制造成本仅
https://www.alighting.cn/pingce/20101208/123145.htm2010/12/8 13:40:04
2007年5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）非极性GaN材料研究小组（由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导）制造的蓝紫
https://www.alighting.cn/resource/20070508/128492.htm2007/5/8 0:00:00
美国加州大学圣芭芭拉分校（ucsb）利用氨热法试制出了GaN结晶，并在2007年9月16～21日于美国拉斯维加斯举行的“icns”上进行了发布（演讲序号:mp112）。氨热法应
https://www.alighting.cn/resource/20071002/128536.htm2007/10/2 0:00:00
汉的新厂房里，用于生产高亮（hb）GaN le
https://www.alighting.cn/news/2007726/V2541.htm2007/7/26 14:22:10
5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）非极性GaN材料研究小组（由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导）制造的蓝紫光inGaN le
https://www.alighting.cn/news/2007511/V2418.htm2007/5/11 11:09:40
