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GaN外延片的主要生长方法

内的热场分布,将有利于获得均匀分布的组分与厚度,进而提高了外延材料光电性能的一致性。2)lgainn氮化物半导体是制备白光led的基石,GaN基led外延片和芯片技术,是白光le

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究

led技术:阿拉丁照明网资料频道提供全面的led技术资料免费下载。本文推荐的led技术资料是《GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究》。   摘要:GaN基发光二极管合成照

  https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58

al_2o_3/si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

GaN基高压交流110v-led芯片——2019神灯奖申报技术

GaN基高压交流110v-led芯片,为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37

GaN led市场照明份额将在2016年提升28%

GaN led市场中,照明的份额预计会从2011年的21%升为2016年的49%;照明led收入预计增长超过300%。

  https://www.alighting.cn/news/201221/n074637204.htm2012/2/1 9:55:47

丰田合成开发非极性面GaN结晶,光效将提升

日本丰田合成公司在3英寸的蓝宝石底板上形成了非极性面(m面)GaN结晶,成功采用该结晶实现了led的发光。

  https://www.alighting.cn/news/2009118/V21611.htm2009/11/8 15:51:41

破解技术垄断 集成创新是趋势

业格局,世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地,拥有GaN基蓝、绿光led、白光技术方面的核心专利,在产业规模上也具有优

  https://www.alighting.cn/news/20090731/91210.htm2009/7/31 0:00:00

GaN基led电流扩展对其器件特性的影响

GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40

松下研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管

2018年2月23日,松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管,可以连续稳定的工作,阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度,可以进一

  https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54

日本开发出使led发光效率提高1倍的GaN晶圆

日本碍子称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透

  https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39

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