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利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射，耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光le
https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newled，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基led。
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:39
https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:29
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
南韩led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发“氮化镓”(gallium nitride、GaN)基板，封测
https://www.alighting.cn/news/20141020/n807366498.htm2014/10/20 9:39:39
2007年5月24日，台湾光鋐科技（epileds）订下两台thomas swan（aixtron子公司）ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮（hb）ga
https://www.alighting.cn/news/2007528/V5187.htm2007/5/28 15:56:52
蓝色led和蓝紫色半导体激光器用基板有望采用铝镁酸钪(scalmgo4，通称：scam)。scam的特点是，与GaN的晶格失配度只有1.8%，便于抑制位错等结晶缺陷。与采用蓝宝
https://www.alighting.cn/news/20150120/97572.htm2015/1/20 17:23:49
日前led上游大厂美国cree表示，该公司已与三菱化学签订独家授权合约。根据双方协议，三菱化学将可制造、贩卖独立的氮化鎵（GaN）基板，并有权签订类似专利范围的再授权协
https://www.alighting.cn/news/20090120/106630.htm2009/1/20 0:00:00
veeco推出turbodisc? k465i? ，一款用于生产高亮度led（hb led）的氮化镓(GaN) 金属有机化学气相沉淀(mocvd)设备，日前经过led产业
https://www.alighting.cn/news/20100120/119367.htm2010/1/20 0:00:00
