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通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
本文我们一起来探讨如何通过背光驱动来提高lcd的显示效果。
https://www.alighting.cn/resource/20150106/123794.htm2015/1/6 9:30:29
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验,
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
采用熔融的koh溶液腐蚀蓝宝石衬底,获得具有三角形图案的腐蚀坑形貌,并对腐蚀坑的三角形形状给出了理论解释。在不同温度和不同的腐蚀时间进行对比结果分析,发现在280℃下腐蚀60 mi
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
据测算，当前随着 mocvd设备在半导体制造业中的广泛应用，全世界每年对mocvd设备约有300台的市场需求，其中gan-mocvd设备每年至少需求120台。我国“十一五”期间约需
https://www.alighting.cn/news/20060220/91064.htm2006/2/20 0:00:00
led迅猛发展的今天，人们都很关注这个产业到底将给中国带来怎样的变化。在近期会议中，唐国庆认为led将从三个方面改变中国：政府通过奥运会、世博会等政府工程和指导文件改变中国；市场需
https://www.alighting.cn/news/20100406/91503.htm2010/4/6 0:00:00
“十二五”将是我国半导体照明技术创新与产业发展的关键时期，建议做好3项工作：一是加强系统集成应用，开发高可靠和低成本的规格化、标准化普通照明产品，推动芯片的国产化，并培育普通照明应
https://www.alighting.cn/news/20100510/93967.htm2010/5/10 0:00:00
ledinside发表知识库文章《生长led有机层的外延片工艺》
https://www.alighting.cn/news/20080204/107389.htm2008/2/4 0:00:00
近日，aixtron ag宣佈再次获得臺湾晶元光电的订单，包括两套大容量喷淋领头式气体喷嘴（close coupled showerhead）反应室和一套aix 2800g4 ht
https://www.alighting.cn/news/20080125/107728.htm2008/1/25 0:00:00
